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細胞変性（ウイルス学）

ECIS-TEER24

ECIS-CP96

電極付きｳｪﾙﾌﾟﾚｰﾄ

細胞へのウイルス感染による細胞変性は、細胞生存率のモニタリングが主観的であるため、長い間定量化が困難でした。ECIS®テクノロジーの利点は、細胞の挙動（例えば、成長、毒性、細胞変性）をリアルタイムかつラベルフリーで定量的にモニタリングできることです。ECIS®電極アレイ上で増殖した細胞がin vitroでウイルスに感染すると、その形態と生存率の変化がインピーダンスから検出されます。

細胞変性（ウイルス学）

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概要

細胞培養における細胞変性を検出するには、細胞の生存率を連続的かつリアルタイムにモニタリングすることが必要です。ECIS®技術はまさにそれを可能にします。接着・増殖した細胞にウイルス性病原体が導入されると、ECIS®ウェル電極底面の金電極から細胞が剥離する際に起こるインピーダンスの変化によって、細胞の増殖と死滅を検出します。ECISソフトウェアにより、インピーダンスの変化はグラフでモニタリングされます。細胞が金電極上に接着して広がると、インピーダンスはグラフのプラトーで示されるコンフルエントレベルまで上昇します。

細胞をECIS®電極アレイに播種します。
細胞をコンフルエントになるまで培養します。これはグラフでプラトーとして表されます。
次に、細胞を特定のウイルスに感染させます。
細胞のバリア機能が低下し、細胞が電極から剥離するため、形態と生存率の変化による細胞変性を示します。
これらの細胞変性効果は、ECIS®ソフトウェアのグラフ上でインピーダンスの変化としてリアルタイムで見ることができます。

細胞がウイルスに感染して細胞変性を示すとき、ECIS®装置はその変化をリアルタイムに検出します。
左のグラフはEPC細胞（Endothelioma papulosum cyprini cell）を10倍希釈のIHNV（Infectious hematopoietic necrosis virus）に曝露した例です。
グラフはレジスタンス値の変化が、細胞レイヤーに加えたビリオンの力価に明らかに依存していることを示しています。
黒色のグラフはウイルスに感染させていないコントロールのレジスタンス値です。