細胞増殖

このグラフはECIS電極の抵抗（A）および静電容量（B）の計算値を、付着した細胞で表面を覆う割合の関数として示したものです。電極のパラメータを3つの異なる周波数（400 Hz （点線）, 4 kHz（横線）, 40 kHz （実践））でモデル化しました。より良い比較のために、両方の量は無細胞電極の対応する値で正規化されています。

ECISのアプローチは、広がった細胞によってブロックされた領域を測定し、細胞の数を直接測定するものではないことにご注意ください。本手法は有用な増殖関連データを得ることができ、必要に応じて細胞数の直接係数を伴う実験により検証が可能です。ECIS測定の魅力は、完全に自動化されており、最小限の操作しか必要としないことです。一旦細胞を電極アレイに加えたら、インキュベーターのドアは閉じたままで、必要であれば数日間データを収集することができます。これらのアッセイには、10個の個別電極で基盤がカバーされている、8W10E電極をお勧めします。電極はウェル底面の異なる位置に配置され、培養の全体的な状態について、より統計的に適切な測定を可能にしています。

右図は同じデータにおいて、7個のウェルの平均レジスタンス値から細胞を播種していない電極でのレジスタンス値を引いた場合の経時変化を示したものです。100時間経過後の培地交換により、コンフルエントになるまでの間、グラフの指数関数的な外観から一時的に逸脱しています。その後のインピーダンスの変化は、細胞がレイヤーに押し寄せ、細胞どうしの接触領域が増えることで、抵抗がわずかに低下するために起こると推定されます。高周波数でのキャパシタンス測定を行うことで、この要因は実質的に排除できます。